马晓华，1973年3月出生，勉县，1996年获西安电子科技大学微电子专业学士，2007年获西安电子科技大学获得微电子与固体电子学博士学位，西安电子科技大学教授，博士生导师。
现任政协陕西省第十三届委员会常务委员，西安电子科技大学微电子学院副院长，九三学社陕西省委副主委。
人物经历
1996年毕业于西安电子科技大学技术物理学院微电子学专业；
1996年－2001年在航天067基地16研究所从事MEMS研究工作；
2007年博士毕业于西安电子科技大学微电子学院微电子学与固态电子学专业。
2011年破格晋升为教授、博士生导师。
现任西安电子科技大学微电子学院副院长，九三学社陕西省委副主委。
政协陕西省第十三届委员会常务委员。
社会任职
中国电子学会可靠性分会委员、陕西省宇航学会电子与控制专业副主任委员、西安电子科技大学第八届校学术委员会委员、国防科技工业抗辐照应用技术创新中心理事、北京大学微纳电子与集成系统协同创新中心副主任。
主要成就
研究方向
器件设计、90nm～65nmCMOS器件的可靠性研究、RF器件的可靠性问题研究。
科研成就
长期从事宽禁带半导体材料、高效率固态微波功率器件及系统应用研究，作为项目主要负责人之一，研制的赣语微波功率器件效率从2011年的73%刷新到2015年的85%，该指标目前一直处于世界领先水平。先后主持“核高基”科技重大专项、“国家高技术研究发展计划”、自然科学基金重点项目等国家级项目20余项。研究成果获国家科技进步二等奖1项，获省部级一等奖5项；近年来，在国际高水平学术期刊发表SCI检索论文120余篇，指导博士/硕士研究生82人，并夺得学校“优秀教师”和“师德标兵”称号，带领的团队获学校“三好三有”团队。
在成果创新和应用方面，目前获授权国家发明专利40余项，在宽禁带半导体微波功率器件方面的专利申请数量全球排名第三。其中15项专利获得专利技术转让，直接转让经费400多万元。获授权发明专利项，其中已转化12项。由于在研发和成果转换方面取得的突出成绩，马晓华教授获得2017年陕西省科技创新领军人才称号。
近10余年来，他一直工作在宽禁带半导体材料教育部重点实验室，为实验室科研平台的规划、建设和发展作出了突出的贡献。负责建成了具有国际水平的化合物半导体材料生长和表征、器件和电路研发的国内高校一流研究平台。
马晓华教授在学术领域和科研合作方面也相当活跃，多次受邀在国际学术会议作报告，长期担任重大项目的评审专家。在国内高等院校、研究所具有广泛的科研合作关系，与中国航天、中国电子科技集团有限公司、科学院、华为等国内著名研发单位有良好的技术合作，在国内外同行中具有很好的学术与科研影响力。其科研工作长期面向国防和国家工程领域，着力于基础研究，兼顾前沿探索和国家重大需求，能够较好地贯彻学校“大平台、大团队、大项目、大成果”的建设目标，在科学研究、人才培养、成果转化等方面已有令人瞩目的成绩。
主讲课程
微波器件与电路 /2018-2019 /秋学期 /32课时 /2.0学分 /Z09MI1206
新生研讨课 /2018-2019 /春学期 /16课时 /1.0学分 /TS006014
集成电路新技术讲座 /2018-2019 /春学期 /16课时 /1.0学分 /MI3017
微电子学新技术讲座 /2018-2019 /春学期 /16课时 /1.0学分 /MI3010
半导体器件工艺 /2017-2018 /春学期 /32课时 /2.0学分 /Z07MA1208
微波器件与电路 /2017-2018 /秋学期 /32课时 /2.0学分 /Z09MI1206
论文成果
A high efficiency C-band internally-matched harmonic tuning GaN 功率 amplifier.固体STATE 电子学2016,123 :96-100
A Scalable Active Compensatory Sub-Circuit for Accurate GaN HEMT Large Signal Models.IEEE 微波 AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS.2016,26 (6):431-433
Effect of alloying 温度 on the 电容电压 and current-voltage characteristics of low-压强 chemical vapor deposition SiNx/n-GaN MIS structures.PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE.2015,212 (12):2928-2935
Impact of 氟 等离子体 treatment on AlGaN/GaN high electronic mobility transistors by simulated and experimental results.MICROELECTRONIC ENGINEERING.2016,154 :22-25
Analysis of the Breakdown Characterization Method in GaN-Based HEMTs.IEEE TRANSACTIONS ON 功率 电子学2016,31 (2):1517-1527
Analysis of the Breakdown Characterization Method in GaN-Based HEMTs.IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS.2016,31 (2):1517-1527
Recessed-gate quasi-enhancement-mode AlGaN/GaN high electron mobility transistors with 氧 等离子体 treatment.CHINESE PHYSICS B.2016,25 (11)
Influence of surface states on deep level transient spectroscopy in AlGaN/GaN heterostructure.CHINESE PHYSICS B.2016,25 (6)
Using in-process measurements of open-gate structures to evaluate threshold 电压 of normally-off GaN-based high electron mobility transistors.APPLIED PHYSICS LETTERS.2015,107 (16)
AlGaN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3+BCB passivation.CHINESE PHYSICS B.2015,24 (11)Breakdown mechanisms in AlGaN/GaN high electron mobility transistors with different GaN channel thickness values.CHINESE PHYSICS B.2015,24 (2)
Contact-Size-Dependent Cutoff 频率 of Bottom-Contact Organic Thin Film Transistors.CHINESE PHYSICS LETTERS.2015,32 (10)
A C-band 55% PAE high gain two-stage 功率 amplifier based on AlGaN/GaN HEMT.CHINESE PHYSICS B.2015,24 (10)
On-wafer de-embedding techniques from 0.1 to 110 GHz.Journal of Semiconductors.2015,36 (5)
获得荣誉
2012年获西安电子科技大学优秀教师称号。
2012年入选“教育部新世纪优秀人才”计划。
2012年获陕西省“三秦人才”津贴。
2012年获陕西省科技进步一等奖。
2007年获教育部科技进步一等奖。
社会活动
2020年12月15日，西安电子科技大学微电子学院副院长马晓华教授受邀来深港微电子学院学术交流，带来题为“ （超）宽禁带半导体材料、器件和芯片研究进展”的精彩报告。讲座由学院院长于洪宇教授主持，学院部分师生代表参加讲座。
2020年11月7日下午14点至16点，长江学者、西安电子科技大学马晓华教授应理学院邀请，在金花校区科二楼803会议室，为理学院教师做了题为“电子信息技术的创新与发展”的专题报告。报告会由我院副院长成鹏飞教授主持，我校科技处处长朱耀麟教授及相关工作人员出席，理学院30余名教师聆听了本次报告。
参考资料
九三学社陕西省第十四届委员会领导班子、秘书长及常委名单.陕西省人民政府.2022-06-25
政协陕西省第十三届委员会常务委员.中华网陕西-今日头条.2023-01-16
新型半导体材料与器件研究领军人物——记“西安十佳科技人物” 西安电子科技大学马晓华教授-.西安电子科技大学.2021-12-15
西电教师个人主页系统 马晓华 获奖信息 中文主页.西安电子科技大学.2021-12-15
西电微电子学院副院长马晓华教授受邀来我院学术交流 - 微电子首页.深港微电子学院.2021-12-15
长江学者马晓华教授为理学院教师做学术与基金申请报告-西安工程大学理学院.西安工程大学理学院.2021-12-15