王德君(Dejun WANG)，吉林大学半导体材料（化学）专业本科、硕士，清华大学材料学博士，先后服务于北京大学、名古屋大学和奈良先端科学技术大学院大学，2004年7月被聘为大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院教授，博士生导师。
人物经历
教育经历
吉林大学半导体化学专业本科、硕士
清华大学材料学博士
工作经历
先后服务于北京大学、名古屋大学和奈良先端科学技术大学院大学，现大连理工大学教授，博士生导师（微电子学、控制、凝聚态物理）。
主要成就
学术成果
发表论文
Zhang, Yi-Jie,Yin, Zhi-peng,Su, Yan,Wang, De-Jun.Passivation of 碳 dimer defects in amorphous SiO2/4H-SiC(0001) interface: A first-principles study[J],CHINESE PHYSICS B,2018,27(4)
Haipeng Zhang,王德君.A GaN/InGaN/AlGaN MQW RTD for versatile MVL applications with improved logic stability[J],Journal of Semiconductors,2018,39(7):7400401-7400411
杨超,王德君.电容电压 Measurements and Bias 温度 Stress Induced Flatband Voltage Instability in 4H-SiC MOS Capacitors[A],Asia-Pacific Conference on 硅 Carbide and Related Materials (APCSCRM 2018),2018,2018(July):13-26
Zhang Haipeng,Wang Dejun,Geng Lu,Lin Mi,Zhang Zhonghai,Lu Weifeng,Wang Xiaoyuan,Wang Ying,Zhang Qiang,Bai Jianling.High voltage InGaN/GaN/AlGaN RTD suitable for ESD protection applications of GaN/InGaN-based devices and ICs validated by simulation results[A],2018 25TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA),2018
Wu, Zijian,Cai, Jian,Wang, Qian,Wang, Junqiang,Wang, Dejun.Wafer-Level Hermetic Package by Low-温度 Cu/Sn TLP Bonding with Optimized Sn Thickness[J],JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,2017,46(10):6111-6118
王德君,何,秦芝,黄庆,都时禹.碳化核燃料缺陷结构的研究现状[J],核技术,2017,40(7):83-94
授权专利
一种降低SiC MOS界面态密度的表面预处理方法
一种柔性聚酰亚胺衬底上的氮化镓基薄膜及其制备方法
一种自感知便携式图像无线监控设备及使用方法
一种降低SiO\u003csub\u003e2\u003c/sub\u003e/碳化硅界面态密度的方法
代表著作
半导体材料与器件表征技术
科研项目
SiC MOS器件界面缺陷及其钝化研究, 国家自然科学基金项目,2014/09/01,完成
系统级封装技术工艺加工,企事业单位委托科技项目,2011/11/03-2011/12/31,进行
新一代半导体SiC材料表面处理技术,省、市、自治区科技项目,2007/01/01-2009/12/31,完成
SiC半导体MOS结构界面态研究,主管部门科技项目,2007/01/01-2009/03/31,完成
2006年度教育部新世纪优秀人才支持计划,主管部门科技项目,2006/12/31-2009/12/31,完成
SiC MOS器件近界面氧化物缺陷与阈值电压漂移抑制技术研究, 国家自然科学基金项目,2018/08/16,进行
研究领域
1.宽带隙半导体碳化硅、GaN材料与器件科学
2.功率芯片、传感器芯片设计制造及应用
3.集成电路技术
4.数字监控系统/无线传感器网络
硕博研究方向
一级学科博士点：电子科学与技术
二级学科专业：微电子学与固体电子学；物理电子学；电路与系统；电磁场与微波技术
2年制专业学位硕士：集成电路工程
出版著作和论文
刘冰冰等.Chemical and electronic passivation of 4H-SiC surface Applied Physics Letters, 104: 202101(2014)
江滢等.Field isolation for GaN MOSFETs. Semiconductor Science and Technology, 29: 055002(2014)
王青鹏等.Characterization of GaN MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 61: 498(2014)
朱巧智等.Electrical and physical properties of 4H-SiC MOS interface. Physica B, 432: 89(2014)
李文波等.Oxidation of step edges on vicinal 碳化硅 surfaces. Applied Physics Letters, 103: 211603(2013)
朱巧智等.Passivation of SiO2/SiC interface traps. Applied Physics Letters, 103: 062105(2013)
黄玲琴等.Barrier inhomogeneities of metal/SiC contacts. Applied Physics Letters, 103: 033520(2013)
李文波等.Insight into the Oxidation and defects of 碳化硅 Physical Review B, 87: 085320(2013)
黄玲琴等.SiC Ohmic contacts. Applied Physics Letters, 100: 263503(2012)
朱巧智等.SiO2/SiC interface transition region. Applied Physics Letters, 99: 082102(2011)
译著：《半导体材料与器件表征技术》，大连理工大学出版社，2008年6月
原著：《Semiconductor Material and Device Characterization》by Dieter K.Schroder
工作成果
第一届全国优秀博士学位论文奖，教育部，1999
新世纪优秀人才支持计划资助，教育部，2006
大连市IT教师基金，新一代嵌入式图像监控及处理系统的设计，2008
国家重大基础研究（973）专项，新一代半导体碳化硅材料与器件基础问题，2006-2007
参考资料
大连理工大学.大连理工大学.2021-07-30