韩根全，博士、陕西省“百人计划”科学家、西安电子科技大学博士生导师。 2003 年于清华大学获得学士，2008 年于中国科学院半导体研究所获得博士学位，同年加入新加坡国立大学 Silicon Nano Device Laboratory (SNDL) 实验室。2012年加入西安电子科技大学微电子学院郝跃院士团队，2016年入选西安电子科技大学“百人计划”研究员。长期在半导体材料、器件研制方面从事科研和教学工作，积累了丰富的经验，取得了国际领先的研究成果。在高迁移率非硅沟道CMOS器件方面取得多项突破性进展，包括创新实现高性能应变锗、锗锡、镓MOSFET器件和隧穿晶体管器件；获得锗锡空穴迁移率国际最高纪录等。相关研究内容多次被著名网络杂志emiconductor-today专门报道。已经发表研究论文90多篇，申请专利20余项。受邀在国际会议作邀请报告6次，并担任国际会议分会主席。
人物生平
在新加坡国立大学 SDNL 工作期间，主要从事高迁移率材料金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和陡峭亚阈值摆幅隧穿场效应晶体管（TFET）研究。领导了 SDNL 与中科院半导体研究所 GeSn 材料电子器件合作研发项目，并负责了新加坡与MIT关于低能电子系统（Low 能量 电子学 Systems, LEES）合作项目中 InGaAs RF HEMT 与 Si CMOS 集成部分。在 GeSn，InGaAs MOSFET 以及 TFET 方面作出了突破性的贡献。在国际上首次制备成功了 GeSn 材料的 p 沟道和 n 沟道 MOSFETs，实现了 GeSn TFET 器件，实现了高迁移率 CMOS （GeSn pMOSFET + InGaAs nMOSFET）的构架，发现 GeSn(111) 晶面具有更高的空穴迁移率。另外，在 Si 基 TFET 器件方面也做了大量的工作，制备了不同结构的 Si TFET 器件。
人物成就
作为第一作者和通讯作者发表文章40多篇，其中在IEEE 顶级会议International Electron Devices Meeting (IEDM) 和 Symposium on VLSI Technology (VLSI) 上发表文章 5 篇，在 Applied Physics Letters，IEEE Electron Device Letters，IEEE Transactions on Electron Devices 等 SCI 杂志发表文章15篇，其它会议文章 21 篇。目前为Applied Physics Letters，IEEE Electron Device Letters，IEEE Transactions on Electron Devices，Japanese Journal of Applied Physics 等杂志审稿人。
人物荣誉
2020年8月11日，入选2020年度国家杰出青年科学基金建议资助项目申请人名单。
研究领域
高迁移率材料电子器件：非硅高迁移率材料晶体管器件的设计以及制备工艺
先进集成电路工艺研发：10 纳米尺度以下集成电路器件及工艺
非硅材料的硅基集成：非硅高迁移率材料晶体管与硅 CMOS 器件的集成工艺
硅基电子器件：先进IV族材料的材料性质研究以及电子器件研发
硅基光子器件：先进IV族材料的材料性质研究以及光子器件研发
硅基集成光电子子学：硅片上进行光子、电子集成
高精度微纳加工技术：研究高精度的半导体微纳加工技术。
非硅材料纳米电子学：纳尺度非硅电子器件中的电子行为
二维材料纳米电子学：纳尺度二维电子器件中的电子行为
参考资料
今年“杰青”名单出炉！共300人，来自124家单位_科技湃_澎湃新闻-The Paper._澎湃新闻-The Paper.2020-08-12