徐章程，男，1970年11月出生，安徽潜山人，二级教授，博士生导师。他在丹麦技术大学获得光电子学专业哲学博士学位，并在日本电子株式会社（日本电子株式会社）担任博士后。徐章程是中国科学院上海硅酸盐研究所无机非金属材料专业工学博士，同时也是中国电子学会高级会员、中国电子学会半导体集成技术分会委员。他曾获得教育部新世纪人才、天津市特聘教授、天津市优秀留学人员等荣誉，并在2023年被评为全国归侨侨眷先进个人。
人物经历
1998年8月至2001年1月，徐章程在日本电子株式会社（JEOL，东京）技术总括部任博士后工程师，负责X射线分析装置的研制和开发。2001年2月至2004年3月，他在丹麦技术大学通讯、光学和材料研究中心和哥本哈根大学尼耳斯－波尔研究所，从事半导体量子点的分子束外延生长和光学表征，以及半导体量子点激光器的研制工作。2004年9月至2010年11月，徐章程在南开大学物理科学学院和泰达应用物理学院担任教授，并组建了纳米光子学实验室。2010年12月至2012年3月，他担任南昌航空大学测试与光电工程学院院长。2012年4月至今，徐章程在天津工业大学担任教授，并于2013年9月起任天津市特聘教授，2019年1月起任二级教授。
主要成就
徐章程在科研领域取得了显著成就，他主持并完成了国家自然科学基金项目4项，获得省部级科研和成果奖各一项。他在Applied Physics Letter, Physical Review B, Nanotechnology, Journal of Physics：Condensed Matter，物理学报，Chinese Physics Letters, Chinese Physics B等国内外著名期刊上发表论文40余篇，并获得中国发明专利授权4项。他研制成功了国际上增益最高的InGaAs/GaAs量子点激光器和长余辉材料磷光激发光谱测试系统（发明专利）等。此外，徐章程还创作了安庆黄梅音乐歌曲《相伴一生一世》（版权注册号码：610001406114）。
国际期刊
1. Zhangcheng Xu, et al., “Short excitonradiative lifetime in submonolayerInGaAs/GaAs quantum dots”,Applied Physics Letters , 92, 063103 (2008).
2. Zhangcheng Xu, et al., “Long luminescence lifetime in self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots at room 温度”, Applied Physics Letters，93，183116(2008).
3. Zhangcheng Xu, et al., “Carrier 动力学 in SubmonolayerInGaAs/GaAs Quantum Dots”, Applied Physics Letters, 89, 013113 (2006).
4. Zhangcheng Xu, et al., “Submonolayer InGaAs∕GaAsInGaAs∕GaAs quantum-dot lasers with high modal gain and zero-linewidth enhancement factor”, Applied Physics Letters，85, 3259 (2004).
5. Zhangcheng Xu, et al., “Structure and optical anisotropy of vertically correlated submonolayerInAs/GaAs quantum dots”, Applied Physics Letters，82,3859 (2003).
6. Zhangcheng Xu, et al., “Influence of in situ annealing on carrier 动力学 in InGaAs/GaAs quantum dots”, Nanotechnology 18(32):325401(2007).
7. Zhangcheng Xu,et al., “InGaAs/GaAs quantum-dot–quantum-well heterostructure formed by submonolayer deposition”, Nanotechnology,14,1259(2003).
8. Zhangcheng Xu, et al., “Self-organized growth of microsizedGe wires on Si (111) surfaces，Phys. REV B 75, 233310（2007）.
9. Zhangcheng Xu,et al.,”The relationship of the Poynting vector and the dispersion surface in the absorbing crystal”, Journal of Physics: Condensed Matter,8, 5977(1996).
10. Zhangcheng Xu, et al., “Bragg reflection and transmission of X-rays induced by the imaginary part of the atomic scattering factor”, Journal of Physics: Condensed Matter, 7, 8089(1995).
中国期刊
1.徐章程等，“亚单层InGaAs量子点-量子阱异质结构的时间分辨光致发光谱”，物理学报. 2005, 54(11): 5367-5371.
2.徐章程等，“原子吸收限附近完整晶体内的能流方向”，物理学报. 1997, 46(11): 2188-2197.
3.徐章程等， “吸收限附近非对称反射条件下X射线的异常透射”,物理学报. 1998, 47(11): 1818-1826.
4.徐章程等，“吸收限附近GaAs在马克斯·冯·劳厄情况下的荧光溢出”，物理学报. 1998, 47(2): 252-259.
5.徐章程等，“测定温度因子的共振X射线动力学衍射法”，物理学报. 1998, 47(9): 1520-1528.
6.Zhangcheng Xu, et al, “Inter-Layer 能量 Transfer through Wetting-Layer States in Bi-layer InGaAs/GaAs Quantum-Dot Structures with Thick Barriers” ,Chinese Physics Letters 26(5):057304(2009).
发明专利
1.徐章程，“X射线荧光分析仪器及用于其的样品容器”，中国发明专利，专利号：ZL201610330739.8，授权日：2020年09月25日。
2. 徐章程等，“一种长余辉材料磷光激发光谱测量系统及方法”，中国发明专利，专利号：ZL201711242248.9，授权日：2020年08月04日。